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Europa-247.de - News & Infos rund um Europa, die Europäer und die EU!
FeRAM - die nicht-flüchtige Speicherlösung von ROHM Semiconductor
Veröffentlicht am Dienstag, dem 07. Juni 2011 von Europa-247.de |
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Freie-PM.de: Als nicht-flüchtige Datenspeicher mit hoher Lese und Schreibgeschwindigkeit und geringer Leistungsaufnahme empfehlen sich FeRAMs (Ferroelectric RAMs) für ein breites Anwendungsspektrum.
Willich-Münchheide, 6. Juni 2011 - OKI Semiconductor, ein Unternehmen der ROHM-Gruppe, entwickelt eine neue Speichertechnologie mit der Bezeichnung "Ferroelectric RAM" (FeRAM). Die neue Serie ergänzt das existierende, aus EEPROM, DRAM und P2ROM bestehende Speicher-Portfolio von ROHM.
FeRAMs sind nicht-flüchtige Speicher, die eine ferroelektrische Schicht als Kondensator für die Datenspeicherung nutzen. Gegenüber anderen nicht-flüchtigen Speichern wie etwa EEPROMs oder Flash-Speichern haben FeRAMs den Vorteil einer deutlich niedrigeren Leistungsaufnahme (1:400 oder weniger), einer hohen, auf dem Niveau von DRAMs liegenden Schreibgeschwindigkeit und einer entscheidend höheren Anzahl von Schreibzyklen (1012). In Verbindung mit dem Datenerhalt von 10 Jahren ermöglichen diese Eigenschaften den Einsatz von FeRAM-Speichern in vielen Applikationen, in denen es auf eine zuverlässige Datenspeicherung ankommt, wie zum Beispiel für Abrechnungs-, Konfigurations- und Statusinformationen in Consumer, Industrie und Car-Multimedia-Applikationen.
Wichtige Features auf einen Blick:
- Nicht-flüchtige Datenspeicherung
- Hohe Schreib- und Lesegeschwindigkeit
- Niedrige Leistungsaufnahme im Betrieb
- Datenerhalt: 10 Jahre (ohne Back-up-Strom)
- Hohe Anzahl an Schreibzyklen
- 8-Bit-Konfiguration
- 3,3 V Versorgungsspannung
- Ausgelegt für den industriellen Temperaturbereich ( 40 bis +85 °C)
Verfügbare Versionen
32 KBit mit SPI-Interface im SOP8-Gehäuse
64 KBit mit I2C-Interface im SOP8-Gehäuse
256 KBit mit SPI-Interface im SOP8-Gehäuse
256 KBit mit Parallel-Interface im TSOP28-Gehäuse
Verfügbarkeit
Zur Evaluierung der neuen Bauelemente sind bereits erste Muster von verschiedenen Varianten mit serieller Schnittstelle (I2C oder SPI) oder mit Parallel-Interface verfügbar. Der Beginn der Massenfertigung ist für das dritte Quartal 2011 geplant.
Über ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor steht in der Elektronikindustrie für hohe Qualität. Die über 21.000 Mitarbeiter des Unternehmens stellen ein breites Spektrum international marktgängiger Produkte her, darunter integrierte Schaltungen (ICs), Dioden, Transistoren, Widerstände, Kondensatoren, Displays sowie Sonderentwicklungen, die in hoch modernen Fertigungsstätten in Japan, Korea, Malaysia, Thailand, den Philippinen und China produziert werden. Seit 2009 ist OKI Semiconductor Teil der ROHM Semiconductor Gruppe. Die ROHM Semiconductor GmbH bedient die EMEA-Region (Europa und Mittlerer Osten) mit 173 Mitarbeitern im Design Center / in den verschiedenen Vertriebsniederlassungen. Weitere Informationen unter www.rohm.com/eu
ROHM Semiconductor GmbH
Media Division
Karl-Arnold-Str. 15
47877 Willich-Münchheide
+49 2154 921 0
www.rohm.com/eu
webcontact@de.rohmeurope.com
Pressekontakt:
KEK Concept GmbH
Evelyn Stepken
Hofer Str. 1
81737 München
estepken@kek-concept.de
+49 89 673 461-30
http://www.kek-concept.de
(Interessante Japan News, Japan Infos & Japan Tipps @ Japan-247.de.)
Veröffentlicht von >> PR-Gateway << auf Freie-PresseMitteilungen.de
Als nicht-flüchtige Datenspeicher mit hoher Lese und Schreibgeschwindigkeit und geringer Leistungsaufnahme empfehlen sich FeRAMs (Ferroelectric RAMs) für ein breites Anwendungsspektrum.
Willich-Münchheide, 6. Juni 2011 - OKI Semiconductor, ein Unternehmen der ROHM-Gruppe, entwickelt eine neue Speichertechnologie mit der Bezeichnung "Ferroelectric RAM" (FeRAM). Die neue Serie ergänzt das existierende, aus EEPROM, DRAM und P2ROM bestehende Speicher-Portfolio von ROHM.
FeRAMs sind nicht-flüchtige Speicher, die eine ferroelektrische Schicht als Kondensator für die Datenspeicherung nutzen. Gegenüber anderen nicht-flüchtigen Speichern wie etwa EEPROMs oder Flash-Speichern haben FeRAMs den Vorteil einer deutlich niedrigeren Leistungsaufnahme (1:400 oder weniger), einer hohen, auf dem Niveau von DRAMs liegenden Schreibgeschwindigkeit und einer entscheidend höheren Anzahl von Schreibzyklen (1012). In Verbindung mit dem Datenerhalt von 10 Jahren ermöglichen diese Eigenschaften den Einsatz von FeRAM-Speichern in vielen Applikationen, in denen es auf eine zuverlässige Datenspeicherung ankommt, wie zum Beispiel für Abrechnungs-, Konfigurations- und Statusinformationen in Consumer, Industrie und Car-Multimedia-Applikationen.
Wichtige Features auf einen Blick:
- Nicht-flüchtige Datenspeicherung
- Hohe Schreib- und Lesegeschwindigkeit
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Zur Evaluierung der neuen Bauelemente sind bereits erste Muster von verschiedenen Varianten mit serieller Schnittstelle (I2C oder SPI) oder mit Parallel-Interface verfügbar. Der Beginn der Massenfertigung ist für das dritte Quartal 2011 geplant.
Über ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor steht in der Elektronikindustrie für hohe Qualität. Die über 21.000 Mitarbeiter des Unternehmens stellen ein breites Spektrum international marktgängiger Produkte her, darunter integrierte Schaltungen (ICs), Dioden, Transistoren, Widerstände, Kondensatoren, Displays sowie Sonderentwicklungen, die in hoch modernen Fertigungsstätten in Japan, Korea, Malaysia, Thailand, den Philippinen und China produziert werden. Seit 2009 ist OKI Semiconductor Teil der ROHM Semiconductor Gruppe. Die ROHM Semiconductor GmbH bedient die EMEA-Region (Europa und Mittlerer Osten) mit 173 Mitarbeitern im Design Center / in den verschiedenen Vertriebsniederlassungen. Weitere Informationen unter www.rohm.com/eu
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Artikel-Titel: FeRAM - die nicht-flüchtige Speicherlösung von ROHM Semiconductor |
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Für die Inhalte dieser Veröffentlichung ist nicht Europa-247.de als News-Portal sondern ausschließlich der Autor (Freie-PM.de) verantwortlich (siehe AGB). Haftungsausschluss: Europa-247.de distanziert sich von dem Inhalt dieser Veröffentlichung (News / Pressemitteilung inklusive etwaiger Bilder) und macht sich diesen demzufolge auch nicht zu Eigen! |
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